Halbleiterrelais

Neue Mosfet-Relais weisen eine noch höhere Strombelastbarkeit auf

| Redakteur: Sandra Häuslein

Die neuen Hochstrom-Mosfet-Relais erreichen laut Omron die Leistung vergleichbarer elektromechanischer Omron-Relais und übertreffen diejenige konkurrierender Halbleiterrelais-Alternativen.
Die neuen Hochstrom-Mosfet-Relais erreichen laut Omron die Leistung vergleichbarer elektromechanischer Omron-Relais und übertreffen diejenige konkurrierender Halbleiterrelais-Alternativen. (Bild: Omron Electronic Components)

Die zwei neuen Hochstrom-Mosfet-Relais von Omron Electronic Components Europe können laut Hersteller Dauerlasten von bis zu 3,3 AAC bzw. 6,6 ADC schalten. So sollen sie sich besonders als Ersatz für elektromechanische Relais in intelligenten Zählern (Smart Metern), in Sicherheits-, Medizintechnik- und Industrieanwendungen eignen.

Omron Electronic Components Europe hat zwei neue Hochstrom-Mosfet-Relais im Portfolio. Beide Hochstrom-Bausteine Omron G3VM-61GR2 und G3VM-61HR1 erreichen die Leistung vergleichbarer elektromechanischer Omron-Relais und übertreffen diejenige konkurrierender Halbleiterrelais-Alternativen. Wichtige Eigenschaften sind ihr im Vergleich zu elektromechanischen Bauelementen niedriger Durchlasswiderstand (On-Widerstand), eine geringe Störanfälligkeit für äußere magnetische Einflüsse sowie eine hohe Schaltgeschwindigkeit mit einem T on/T off von nur 3 ms/0,5 ms bei der Version GR2 und 5ms / 1ms bei der Version HR1.

Omron G3VM-61HR1 bewältigt 43 % größere Last als Vorgänger

Der Omron G3VM-61HR1 im 6-pin SOP-Gehäuse ist für High-Power-Anwendungen ausgelegt, kann Ströme von bis zu 3,3 AAC bei 60 V schalten und besitzt einen On-Widerstand von nur 30 mOhm. Mittels Parallelschaltung der Ausgänge (C-Schaltung) einer Doppelstromanschluss-Konfiguration für DC-Lasten kann der Baustein für DC-Lasten jedoch bis zu 6,6 ADC mit einem On-Widerstand von nur 8 mOhm bewältigen – eine um 43 % größere Last als bei der Vorgängerversion G3VM-61HR.

Omron G3VM-61GR2 bewältigt 70 % größere Last als Vorgänger

Der Omron G3VM-61GR2 im 4-pin SOP-Gehäuse ist für das Signalschalten digitaler und analoger Signale gedacht bei Strömen von bis zu 1,7 AAC, das sind 70 % mehr als der vorherige G3VM-61GR1. Der On-Widerstand beträgt 80 mOhm.

Andries de Bruin, Senior European Product Marketing Manager bei Omron Electronic Components Europe, kommentiert: „Bei immer mehr Anwendungen würde man gerne Mosfet-Halbleiterrelais einsetzen. Gründe dafür sind die Widerstandsfähigkeit gegenüber magnetischen Einwirkungen und eine niedrige Anfälligkeit für Störungen der elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV) in industriellen Umgebungen. Diese Bausteine setzen neue Maßstäbe bei der elektrischen Leistung, was sie zu einer sinnvollen Alternative zu elektromechanischen Relais in einer ganzen Reihe neuer Anwendungen macht.” (sh)

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